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FDFMA2N028Z中文资料

FDFMA2N028Z图片

FDFMA2N028Z外观图

  • 大小:452.16KB
  • 厂家:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述:Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:PowerTrench®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:455pF @ 10V
  • 功率 - 最大:700mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:6-MicroFET(2x2)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDFMA2N028ZTR

FDFMA2N028Z供应商

更新时间:2023-01-07 15:31:58
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